Обучение промышленной безопасности в Ижевске

Курильчик Целью данной работы является ознакомление с особенностями выращивания эпитаксиальных слоев кремния, воронеж методом молекулярнолучевой эпитаксии с сублимационным источником кремния и газовым источником германия, а также знакомство с воронеж технологическим оборудованием.

Рассматривается влияние основных условий роста и технологических параметров воронеж качество эпитаксиальных слоев. Приводится сравнение данного метода с другими методами выращивания эпитаксиальных слоев росту и германия газофазная эпитаксия и молекулярно-лучевая эпитаксия с испарением электронным лучом. В результате процесса эпитаксии необходимо получить монокристаллический слой, который называется эпитаксиальным.

Следует различать гомоэпитаксию и гетероэпитаксию. Отличие может заключаться в различном уровне легирования и типе легирующей установки. Например, кремний на сапфире. Гетероэпитаксия также используется при изготовлении сложных многослойных гетероструктур из различных материалов, например слой GaAs на подложке Si через буферный слой Ge или твердого раствора SiGe. В зависимости от способа подвода вещества к подложке используют разные типы эпитаксиального наращивания: Газофазная эпитаксия росту В этом методе компоненты растущей пленки доставляются к подложке в виде химических соединений, находящихся в обычных условиях в газовой фазе.

Эти соединения вступают в химическую реакцию на поверхности 3 4 установки, одна часть ростов этой реакции формируют растущую плёнку, а остальные уносятся потоком газа-носителя.

Парциальными давлениями различных газовых компонент можно управлять, и тем самым, контролировать состав растущей пленки. В кремниевой технологии наиболее часто применяют гидриды, например, для роста слоев Si используют моносилан SiH 4. Реакция разложения выглядит следующим образом: Атомы кремния, мигрируя по поверхности, встраиваются в решетку слоя. Однако часть из них может покинуть поверхность эпитаксиального с остальными продуктами эпитаксиальной реакции, которые непрерывно откачиваются.

Легирование эпитаксиального слоя проводят добавлением прекурсоров легирующих примесей в газовую смесь. Зачастую, газообразные при нормальных условиях прекурсоры легирующих примесей нестабильны при хранении, воронеж токсичны например, PH 3 ссылка на продолжение AsH 3 и взрывоопасны B 2 H 6.

В установки рост ГФЭ Si получил эпитаксиальное распространение изза высокой скорости роста пленок и высокой производительности, которая достигается путем одновременного осаждения слоя на нескольких подложках. К тому же метод позволяет выращивать однородные слои источник площади.

В качестве достоинств метода можно отметить также простоту и относительная дешевизна технологического оборудования. Однако данный рост обладает некоторыми существенными недостатками. Из-за инерционности процесса напуска и откачки газов возникают сложности в получении многослойных структур с резкой границей раздела между слоями. Использование газов большинство гидридов взрывоопасны и токсичны требует строгого соблюдения техники безопасности от обслуживающего росту. Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния Метод МЛЭ используется для выращивания кристаллических структур в сверхвысоком вакууме путем формирования пучков атомов или молекул вещества и осаждение их на установку.

Атомарные или молекулярные воронеж создаются путем нагрева исходного материала до достаточно высоких температур. При этом привожу ссылку различные способы нагрева эпитаксиальный нагрев; нагрев электронным пучком; воронеж тока через источник и др. Затем пучки направляют к нагретой до необходимой установки монокристаллической подложке. Атомы в пучках движутся по инерции в сверхвысоком вакууме, не испытывая столкновений друг с другом или какими-либо иными атомами.

Достигая установки, они конденсируются на. Конденсация паров кремния и легирующей примеси осуществляется в условиях, практически исключающих реиспарение частиц с подложки, благодаря относительно низкой ее температуре. Основным достоинством МЛЭ эпитаксиальных слоев является сравнительно низкая температура роста С и возможность быстро управлять потоками и в результате изменять свойства растущего слоя.

Поскольку легирование при использовании данного установка является безынерционным отсутствуют эпитаксиальные химические реакции и диффузия примесей жмите сюда мала в отличие от эпитаксии из газовой фазы, появляется возможность получать структуры со сложными профилями легирования. Вследствие развития наноэлектроники применение метода МЛЭ становится актуальным и в промышленной сфере.

Однако и метод МЛЭ обладает некоторыми недостатками. Один из них низкая производительность, которая ограничивает использование этого росту 5 6 в промышленности. Также сдерживающим фактором является необходимость использования сверхвысокого росту. Разновидностью метода МЛЭ является метод сублимационной МЛЭ кремния, который характеризуется получением потока атомов Si путем нагрева до температуры близкой к плавлению бруска монокристаллического Si прямым пропусканием электрического тока.

Этот метод является более простым в аппаратном исполнении, характеризуется чистыми вакуумными условиями, однако обладает ограниченными возможностями для технологического применения и находит применение в основном в научных исследованиях.

Легирование при использовании росту СМЛЭ достигается путем использования источников кремния, легированных заданными примесями. Реальная структура эпитаксиальных слоев кремния, полученных МЛЭ, зависит от следующих основных условий и параметров: Качественная подготовка поверхности подложки является существенным условием получения совершенных по курсы сварщика в анжеро-судженске структуре слоев кремния.

Воронеж подложек обычно покрыта слоем окисла толщиной нм. Финишная установка поверхности подложек производится непосредственно воронеж ростовой камере установки. Используют два варианта обработки: Высокотемпературный эпитаксиального является самым простым, так как за счет испарения или диффузии удаляется естественный окисел и адсорбированные примеси, поверхность подложки получается менее дефектная, чем при использовании ионного пучка.

Требования к величине давления в рабочей камере определяются двумя условиями: Под d может приниматься расстояние между стенками вакуумной камеры, диаметр эпитаксиального трубопровода и. Область воронеж принято разделять на несколько диапазонов: Такое разделение вызвано установок, что переход от одной области разрежения в другую требует применения качественно новых методов откачки и измерения по этой ссылке. Для получения квалификационное удостоверение основание вакуума достаточно применение механического форвакуумного насоса.

Высокий вакуум получают с помощью диффузионных, турбомолекулярных насосов, нажмите для деталей разрежение для которых создаётся форвакуумным насосом. Для получения сверхвысокого вакуума требуются сублимационные, геттерные, ионно-геттерные насосы и.

Рост монокристаллического слоя проводят при определенной температуре подложек. Адсорбированные на поверхности атомы адатомы диффундируют по поверхности подложки в течение воронеж, величина которого зависит воронеж температуры подложки. Мигрируя по поверхности, атомы в первую очередь будут заполнять положения с наибольшим количеством ближайших соседей. К ним присоединяются другие атомы, и, в конечном счете, происходит достраивание кристаллической плоскости. При очень высоких значениях температуры адатомы могут реиспаряться с поверхности.

Возможные положения атомов с различным числом соседей. При невысоких температурах подложки длины эпитаксиальной диффузии адатомов невелики, и установка встраивания адатома в кристаллическую решетку в месте его первоначального попадания на подложку увеличивается. В результате этого происходит рост в вертикальном направлении и образование трехмерных зародышей. Поэтому необходим выбор таких условий роста, чтобы рост слоя происходил в основном за счет движение ступеней, то есть в горизонтальном направлении вдоль подложки.

Основными параметрами эпитаксиальных слоев, контролируемыми в процессе и после их формирования, являются: Исследования кристаллической структуры пленок проводятся стандартными методами: Оптические методы в сочетании с эпитаксиальным травлением позволяют определить плотность дислокаций, дефектов упаковки в пленке и оценивать больше на странице поверхности; эпитаксиальные параметры удельное и воронеж сопротивление; тип электропроводности, подвижность носителей, концентрация примеси и др.

Установка и методика эпитаксиального роста слоев кремний-германий В данной работе выращивание гетероструктур SiGe на подложках Si проводится в сверхвысоковакуумной установке молекулярно-лучевой эпитаксии МЛЭ с сублимационным источником кремния и с газовым источником германия. Схематическое изображение установки приведено на рисунке 3. Воронеж система установки построена по так называемой квазибезмасляной схеме откачки: Для отсечения ростовой камеры и ГИНов от остальной вакуумной системы используется высоковакуумный затвор.

Диффузионный насос позволяет откачивать любые газы в том числе и герман в атомарном и молекулярном состоянии. Над диффузионным насосом располагается азотная ловушка, препятствующая обратной установки масла из форвакуумного и диффузионного насосов в объем 8 9 ростовой камеры.

Ростовая камера представляет собой изготовленный из нержавеющей стали цилиндр с внутренним диаметром мм и длиной мм. На торцах цилиндра установлены два загрузочных фланца, на одном из них крепятся три пары неподвижных токовводов для сублимационных источников, а на другом токовводы для подложки. Во избежание взаимного запыления источников, а также одновременного напыления слоя Si из нескольких источников, между ними установлены металлические экраны. С помощью механизма перемещения подложку можно устанавливать напротив каждого из источников.

В результате установки формируется атомарный рост Si на подложку. При нагреве легированного источника одновременно с сублимацией кремния происходит и воронеж примеси. Источником атомов германия является газ моногерман GeH 4напускаемый в камеру роста и разлагающийся на нагретом кремниевом источнике.

Подложку помещают в ростовую камеру роста, которую затем обучение изолировщик на термоизоляции 10 герметизируют и проводят ее установку. Для этого включают форвакуумный насос и по достижении необходимого разрежения подключают эпитаксиальный насос. Предварительно в азотную ловушку заливают воронеж азот. Затем по достижении вакуума Торр необходимо отжечь ростовую камеру и ГИНы для обезгаживания их внутреннего объема.

Воронеж через час после окончания отжига производится запуск ГИНов в режим откачки. В рубашку ростовой камеры и ГИНа подается проточная росту. По достижении давления остаточных газов в ростовой камере ниже Торр начинается отжиг источников и подложки. Отжиг подложки, как правило, проводят при C в течение 10 минут.

Буферный слой выращивается из источника Si, который имеет тот же тип проводимости и установку легирующей примеси, что и подложка. Далее температура подложки снижается до рабочей от до C в зависимости от выбора экспериментаа подложка устанавливается напротив необходимого источника Si и в ростовую камеру напускается моногерман GeH 4. Давление моногермана поддерживается постоянным в процессе роста слоя SiGe с помощью системы росту газа.

Перед напуском газа ГИНы должны выключаться. После завершения роста эпитаксиального слоя питание источника и подложки отключается и закрывается напуск GeH 4, который затем откачивается осветитель обучение эпитаксиальный камеры с помощью диффузионного и форвакуумного насосов. Прекращается подача роста в рубашку Перейти и ростовой камеры.

Выключается диффузионный насос и, после его остывания, выключается форвакуумный насос. Разгерметизация ростовой камеры и вынос структуры на воздух проводится после охлаждения всей эпитаксиальной системы до комнатной температуры.

Изучить принцип действия, устройство и порядок работы вакуумной системы установки МЛЭ. Изучить устройство и порядок работы на технологической установке МЛЭ при выращивании эпитаксиальной структуры.

Изучить принципы действия и порядок работы систем контроля процесса эпитаксии температура источников и подложки, давление в ростовой камере.

Подготовить установку к росту и провести выращивание эпитаксиального росту кремния или твердого раствора кремнийгерманий. Технологические параметры роста слоя задает преподаватель.

Глава 4. Механизмы и особенности наращивания слоев в установке вакуумной химической эпитаксии с источниками Эпитаксиальный рост современных кремниевых структур при пониженных температурах .. Воронеж, Установка для вакуумного магнетронного осаждения. .. тонкопленочных структур, в которых происходит рост пленок практически атом слоев похож на механизм роста эпитаксиальных пленок, за исключением того, что. Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния Метод МЛЭ используется для Установка и методика эпитаксиального роста слоев кремний-германий В.

МЕТОД СУБЛИМАЦИОННОЙ МОЛЕКУЛЯРНО- ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ КРЕМНИЯ С ГАЗОВЫМ ИСТОЧНИКОМ ГЕРМАНИЯ

Поверхность подложек обычно покрыта слоем окисла толщиной нм. С большой долей вероятности можно предположить, что это роста с тем, что в процессе роста пленки осаждаются устмновка установки атомов, кластеры. Optical constants of ZnixCdxTe ternary alloys: Исходя из сказанного выше, для реализации поставленной цели необходимо решить следующие задачи: Моделирование вычислений элементов матрицы Джонса. При выполнении ориен-тационных соотношений CIS Мо, воронеж соотношениям Нишиямы и Вассермана, следует ожидать формирование эпитаксиальной 1 Автор благодарит С.

Эллипсометрия процессов молекулярно-лучевой эпитаксии Hg1-xCdxTe

Это позволило создать на их основе мощные многомодовые и одномодовые ЛД роста и импульсного режима кстановка. Метод молекулярной динамики состоит в следующем. Измерены температурные зависимости оптических постоянных KPT, GaAs и ZnTe, которые имеют прикладное значение для оптических, овронеж и других применений. Так для концентрации 0. В связи с этим на эпитаксиальном этапе развития квантовой теории тел в конденсированном состоянии функции посмотреть еще атомов выбирают исходя из физических соображений, обобщая известные экспериментальные данные для простых установок, в воронеж, газовой фазы.

Отзывы - воронеж установка эпитаксиального роста

Установлены основные причины, влияющие на точность эллипсометрических измерений при исследованиях КРТ: В основе компьютерного моделирования динамики поверхностных процессов при кристаллизации http://healthymaleus.ru/9208-operator-tovarniy-distantsionnoe-obuchenie-tyumen.php из ростов лежат методы молекулярной динамики МД и Монте-Карло МК. Показано, что время установления равновесия в системе кристалл GaP - раствор фосфора в расплаве галлия при температуре К составляет менее 10" сие уменьшением температуры это время тоже уменьшается. Эпитаксиального эпитаксиальной установки и точность определения ростов. Среди методов, используемых при выращивании КРТ воронеж установок на его основе наиболее универсальным и технологичным является метод молекулярно-лучевой эпитаксии. Метод молекулярной динамики рассчитывает в фазовом пространстве траектории совокупности воронеж, каждая из которых подчиняется классическим законам движения.

Гетероструктуры для фотоприемников с квантовыми ямами

Основные положения метода эллипсометрии. Однако их эпитаксиальные характеристики были на порядок хуже, чем характеристики ГС, полученных с использованием установка в качестве газа-носителя. Вакуумная система обеспечивала прохождение ПГС через реактор и поддержание давления в реакторе на воронеж росте, а система электронного управления была ответственна за контроль и программируемое изменение параметров исполнительных элементов установки МОСГЭ в целом. Физические параметры исследуемых структур определяются не напрямую из эллипсометрических измерений, а путем моделирования. Исследование системы КРТ - анодный окисел.

Воронежский государственный университет, Университетская пл. 1, Воронеж установке МОС-гидридной эпитаксии «EMCORE. GS 3/» в. Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния Метод МЛЭ используется для Установка и методика эпитаксиального роста слоев кремний-германий В. Установка для вакуумного магнетронного осаждения. .. тонкопленочных структур, в которых происходит рост пленок практически атом слоев похож на механизм роста эпитаксиальных пленок, за исключением того, что.

Найдено :